SK하이닉스, 3분기 경영실적 발표… 전분기 比 영업손실 38% 줄여
반도체 다운턴 지났다… AI향 HBM, 고성능 D램 등 미래투자 계속

2023년 3분기경영실적을 발표한 SK하이닉스. SK하이닉스는 D램 사업이 흑자전환에 성공하는 등 실적이 개선된 것으로 나타났다. (사진=SK하이닉스)/그린포스트코리아
2023년 3분기경영실적을 발표한 SK하이닉스. SK하이닉스는 D램 사업이 흑자전환에 성공하는 등 전분기 대비 실적이 개선된 것으로 나타났다. (사진=SK하이닉스)/그린포스트코리아

SK하이닉스가 반도체 업황이 회복세로 전환됨에 따라 미래를 위한 투자를 지속할 것이라고 밝혔다. 

SK하이닉스는 26일 2023년 3분기 실적을 발표했다. 이날 발표에 따르면 SK하이닉스는 D램과 낸드 등 주요 제품의 판매량이 늘어나면서 적자 폭을 1조원 가량 줄인 것으로 나타났다.

SK하이닉스는 메모리 산업이 다운턴(하강 국면)을 지나 회복세에 접어들었다고 판단하고, AI향 고용량 고성능 메모리 제품에 대한 투자를 확대해 나간다는 계획이다.

◇ SK하이닉스, 적자 폭 줄였다...“메모리 시장 회복세”

이날 발표에 따르면 SK하이닉스는 올해 3분기 매출 9조 662억원, 영업손실 1조 7920억원(영업손실율 20%), 순 손실 2조 1847억원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다.

이로써 SK하이닉스는 지난해 4분기 적자 전환 이후 4분기 연속으로 적자를 기록했다. 그러나 SK하이닉스의 실적발표회는 희망적인 미래를 전망했다. 이유는 간단하다. 적자폭이 대폭 개선되며 반도체 시장 회복세가 확인됐기 때문이다.

실제 SK하이닉스는 올해 3분기 주력 제품인 D램과 낸드플레시의 판매량이 늘어나며, 전분기 대비 매출은 24%, 영업손실은 38% 감소했다고 밝혔다.

특히 D램은 DDR, HBM 등 서버향 제품에 대한 수요 강세로 판매량이 크게 증가한 것으로 나타났다. D램의 출하량은 전분기 대비 약 20% 증가했으며, ASP(평균 판매가격)도 약 10% 증가했다. 이를 토대로 SK하이닉스의 D램 사업은 이번 분기에서 흑자 전환에 성공했다.

낸드 역시 전분기 출하량이 큰폭으로 증가한 기저효과에도 불구하고, 고용량 모바일 제품과 SSD 판매 확대에 따라 출하량이 전분기 대비 증가하는 성과를 거뒀다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “D램의 경우 업계 선두 기술력을 바탕으로 수요가 급증하는 고성능 프리미엄 비중을 빠르게 확대해 지난 2분기부터 ASP가 상승 전환됐으며, 이를 바탕으로 2022년 적자 기록 이후 2개 분기만에 흑자 전환에 성공했다”고 설명했으며 “낸드도 전분기 대비 한자릿수 폭으로 증가하면서 자사의 영업적자는 약 1조원 수준 개선됐다”고 전했다.

이러한 성과와 함께 SK하이닉스는 올 하반기부터 감산효과가 나타나면서 재고 조정을 마무리한 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있어 반도체 업황이 다운턴을 지나 회복세로 올라섰다고 평가했다.

김우현 부사장은 “글로벌 경제 불확실성이 계속되면서 메모리 수요 회복이 연초 예상보다 지연되고 있으나, 하반기부터 재고 조정을 마무리한 고객을 중심으로 수요가 발생하고 있다”며 “특히 메모리 반도체 감산 효과가 하반기 의미 있는 수준으로 나타나면서 주요 제품 가격 안정화가 이뤄지고 있어 메모리 산업은 다운턴을 지나 본격 회복에 접어들었다고 전망된다”고 평가했다.

◇ SK하이닉스, 주력 제품에 대한 투자 확대… 프리미엄 메모리 시장 겨냥한다

SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 AI향 고대역폭 메모리 'HBM3E'. (사진=SK하이닉스)/그린포스트코리아
SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 AI향 고대역폭 메모리 'HBM3E'. (사진=SK하이닉스)/그린포스트코리아

이런 회복세에 맞춰 SK하이닉스는 고부가 주력 제품에 대한 투자를 확대할 것이라고 밝혔다.

특히 SK하이닉스는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.

특히 SK하이닉스는 생성형 AI 붐과 함께 지속 수요 확대가 예상되는 고성능 메모리에 집중하고 있다. SK하이닉스는 AI향 초고성능 D램 ‘HBM3E'를 통해 시장을 선점한다는 전략이다. 고대역폭 메모리인 HBM은 여러개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리속도를 끌어올린 제품이다.

HBM은 1세대 HBM, 2세대 HBM2, 3세대 HBM2E, 4세대 HBM3 순으로 개발돼 왔는데 SK하이닉스는 5세대인 HBM3E를 세계 최초 개발했다. 이미 고객사에 샘플 공급에 돌입하면서 HBM 개발 역량의 선두를 점한 SK하이닉스는 2024년 HBM3E를 차질없이 공급해 시장을 선점해간다는 방침이다.

김우현 SK하이닉스 부사장은 “SK하이닉스는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며, “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.

hdlim@greenpost.kr

저작권자 © 그린포스트코리아 무단전재 및 재배포 금지