삼성전자가 기업용 소프트웨어 글로벌 기업인 SAP(에스에이피)와 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발을 위한 '공동 리서치센터'를 내달부터 운영한다고 29일 밝혔다.

이날 삼성전자와 SAP는 경기도 화성시 삼성전자 부품연구동(DSR)에서 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장과 어데어 폭스 마틴(Adaire Fox-Martin) SAP 아시아 태평양 지역 회장 등이 참석한 가운데 공동 리서치센터 개소식을 가졌다.

인메모리 데이터베이스(in- memory database)는 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량의 데이터를 저장해 처리 속도를 크게 향상시키는 기술을 말한다.

양사는 이번 협력에 따라 차세대 메모리 공동 연구와 사업화를 추진하고 글로벌 인메모리 솔루션 시장의 혁신을 선도한다는 전략이다.

이번 리서치센터 설립은 삼성전자와 SAP가 지난해 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'의 공동 기술 개발에 합의하한 뒤 삼성전자 메모리사업부와 SAP HANA 개발 조직인 'SAP Labs Korea' 간의 협업을 통해 추진됐다.

이를 위해 올해 6월 양사는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 '차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)'을 체결하는 등 '공동 리서치센터' 운영 준비에 나섰다.

삼성전자 부품연구동(DSR)에 설립된 '공동 리서치센터'는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버 룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성됐다.

양사는 글로벌 고객들이 'SAP HANA'를 도입하기 전, 리서치센터에서 시험 운용 등 제반 지원을 통해 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또한 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행될 예정이다.

특히 양사는 20나노 D램 기반 128기가바이트(GB) 3DS(3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24테라바이트(TB)급의 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'를 구현한 데 이어, 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 계획이다.

또 시스템 운영 소비전력도 최소화해 고객들의 IT 투자 효율을 높인 솔루션을 개발할 계획이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 됐다"며 "향후 기술 리더십을 더욱 강화해 '초고용량 메모리 시대'를 지속 주도해 나가겠다"고 강조했다.

어데어 폭스 마틴 SAP 아시아 태평양 지역 회장은 "SAP는 삼성전자와 함께 SAP HANA 플랫폼을 이용하는 고객사를 위한 차세대 인메모리 솔루션을 개발할 계획"이라며 "삼성전자와 보다 포괄적인 파트너십을 맺게 된 것은 혁신을 달성하고 디지털 경제에서 고객의 성공적인 비즈니스를 지원하기 위한 노력의 일환"이라고 말했다.

fly1225@eco-tv.co.kr