삼성전자, D램에 EUV공정 적용 "미세공정 한계 돌파 초격차 실현"
삼성전자, D램에 EUV공정 적용 "미세공정 한계 돌파 초격차 실현"
  • 이한 기자
  • 승인 2020.03.25 09:50
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1세대 10나노급 EUV D램 양산, 업계 유일 양산체제 구축
성능은 올리고 개발기간은 단축. “D램 새 패러다임”
삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV(극자외선노광장치) 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다. 사진은 삼성전자 DS부문 V1라인
삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV(극자외선노광장치) 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다. 사진은 삼성전자 DS부문 V1라인 (삼성전자 제공)/그린포스트코리아

[그린포스트코리아 이한 기자] 삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV(극자외선노광장치) 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다. 미세 공정 한계를 돌파하겠다는 ‘반도체 초격차’ 의지로 읽힌다.

삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급해 글로벌 고객 평가를 완료했다고 25일 밝혔다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 ‘멀티 패터닝’ 공정을 줄이면서 정확도를 높일 수 있다. 성능은 끌어올리면서 개발 기간을 단축할 수 있다는 의미다. 삼성전자는 메모리 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용함으로서 반도체 미세공정 한계를 돌파할 채비를 갖췄다. 업계에서는 “D램의 새로운 패러다임을 제시했다”는 평가다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급 D램 양산 기술'을 개발 중이다. 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다. EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있다.

삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급 D램을 양산하고, 5·6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서 기술 리더십을 강화해 나간다는 전략이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있다”고 말했다. 이와 더불어 “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체간 다양한 표준화 활동을 추진해, 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.

올해 하반기 평택 신규 라인을 가동해 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.

삼성전자 D램 모듛 (삼성전자 제공)/그린포스트코리아
삼성전자 D램 모듛 (삼성전자 제공)/그린포스트코리아

 

leehan@greenpost.kr


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