[그린포스트코리아 채석원 기자] 삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한 지 16개월 만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다.

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상하고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선했다.

또한 삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다.

삼성전자는 올해 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화할 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”고 말했다.

jdtimes@greenpost.kr